[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110333940.9 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102468153A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 多屋淳志;金森胜彦;都外川真志 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02;B23K26/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种半导体器件的制造方法中，制备包括单晶硅的衬底(10)，在衬底(10)中形成连续延伸的重组层(11)，并通过蚀刻去除重组层(11)。形成重组层(11)包括在衬底(10)中移动激光束(L)的焦点的同时利用脉冲激光束(L)照射衬底(10)，从而使单晶硅的一部分多晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：制备包括单晶硅的衬底(10)；形成在所述衬底(10)中连续延伸的重组层(11)，形成所述重组层(11)包括在所述衬底(10)中移动脉冲激光束(L)的焦点的同时用所述脉冲激光束(L)照射所述衬底(10)而使所述单晶硅的一部分多晶化；以及通过蚀刻去除所述重组层(11)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装，未经株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110333940.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
