[发明专利]平面表面导电环阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201110330910.2 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102431952A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈延峰;葛海雄;袁长胜;卢明辉 | 申请（专利权）人： | 无锡英普林纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 214192 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面表面导电环阵列及其制备方法，该平面表面导电环阵列由聚合物基体I、表面呈环形阵列的导电环、导电环内部的聚合物基体II组成；导电环深入到聚合物内部为垂直于导电环平面的导电筒，裸露在聚合物表面处呈环形；从而形成聚合物平面衬底上的环形导电阵列。其制备方法包括以下步骤：（1）在底面直径为2～200μm的聚合物I微针阵列表面包覆一层50nm～5μm厚度的导电金属或导电氧化物材料；（2）将包覆后的聚合物基体I微针阵列用聚合物II材料包埋；（3）通过适当的处理去除掉部分聚合物I和聚合物II材料，获得垂直于聚合物I的平面，即得平面表面导电环阵列。本发明结构新颖，制备简单，可在生物、光学、光电、信息等领域获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 表面 导电 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
平面表面导电环阵列，其特征是，所述平面表面导电环阵列包括聚合物基体II和圆台状的聚合物基体I阵列，所述圆台状的聚合物基体I的侧表面包裹有一层导电体，其中，圆台的上表面裸露在聚合物II的表面处呈环形，其他部分均埋在聚合物基体II中，从而形成在聚合物II平面衬底上的环形导电阵列。
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