[发明专利]平面表面导电环阵列及其制备方法

权利要求书

1.平面表面导电环阵列，其特征是，所述平面表面导电环阵列包括聚合物基体II和圆台状的聚合物基体I阵列，所述圆台状的聚合物基体I的侧表面包裹有一层导电体，其中，圆台的上表面裸露在聚合物II的表面处呈环形，其他部分均埋在聚合物基体II中，从而形成在聚合物II平面衬底上的环形导电阵列。

2.根据权利要求1所述的平面表面导电环阵列，其特征是所述聚合物基体I和II的材料均为高分子聚合物材料，聚合物I和聚合物II可以是同种材料，也可以是不同材料；所述导电体的材料为导电金属、导电氧化物等。

3.制备如权利要求1所述的平面表面导电环阵列的方法，其特征是该方法包括以下步骤：

（1）在底面直径为2～200μm的聚合物I微针阵列表面包覆一层50nm～5μm厚度的导电金属或导电氧化物材料；

（2）将包覆后的聚合物基体I微针阵列用聚合物II材料包埋； 

（3）通过适当的处理去除掉部分聚合物I和聚合物II材料，获得垂直于聚合物I的平面，即得平面表面导电环阵列。

4.根据权利要求3所述的平面表面导电环阵列的制备方法，其特征是步骤（1）中所述的包覆方法为化学镀，电镀，溅射，或以上方法任意组合。

5.根据权利要求3所述的平面表面导电环阵列的制备方法，其特征是步骤（2）中所述的包埋方法为热熔浇注，反应灌注，或以上方法任意组合。

6.根据权利要求3所述的平面表面导电环阵列的制备方法，其特征是步骤（3）中所述的适当的处理为切割，研磨，切削，或以上方法组合。