[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110330881.X | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102324454A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 欧震;徐宸科;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光元件及其制造方法，尤其涉及一种使用化学镀膜法于发光元件形成焊垫的方法。此发光元件包含基板、半导体叠层，位于基板之上，其中半导体叠层包含p型半导体层、n型半导体层、及位于p型半导体层与n型半导体层间的发光层、以及焊垫，位于p型半导体层与n型半导体层中至少其中之一的上方，此焊垫包含以物理镀膜法形成的晶种层与以化学镀膜法形成的化镀层，且晶种层的结晶颗粒大于化镀层的结晶颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光元件的制造方法，包含：提供基板；形成半导体叠层于该基板上方，该半导体叠层包含p型半导体层、n型半导体层、及位于该p型半导体层与该n型半导体层间的发光层；形成晶种层于该p型半导体层与该n型半导体层中至少其中之一的上方；以及形成化镀层于该晶种层上方，该化镀层上表面的粗糙度小于该半导体叠层上表面的粗糙度。
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