[发明专利]超级结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结器件，电流流动区的各处的薄层宽度比都相同；至少部分的终端保护结构的薄层宽度比小于电流流动区的薄层宽度比；电流流动区的各处的所述杂质总量比都相同，至少部分的终端保护结构的杂质总量比小于电流流动区的所述杂质总量比；至少一个位于终端保护结构中的P型薄层的底部不和N+硅基片接触。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明器件通过使终端保护结构保持P/N薄层最佳平衡，使器件终端的击穿电压高于器件单元的反向击穿电压。而在电流流动区保证P/N薄层中P型掺杂总量多于N型掺杂总量，从而能提高器件的抗电流冲击能力和该能力的一致性。

主权项

一种超级结器件，在一N+硅基片上形成有一N型硅外延层，超级结器件的中间区域为电流流动区，所述电流流动区包含多个交替排列的形成于所述N型硅外延层中的P型薄层和N型薄层；所述终端保护结构环绕于所述电流流动区的外周，所述终端保护结构包括多个环绕于所述电流流动区的外周且交替排列的形成于所述N型硅外延层中的P型薄层和N型薄层；所述终端保护结构分成2区和3区，所述2区和所述3区都包括多个所述P型薄层和所述N型薄层，其中所述2区位于内侧并和所述电流流动区邻近，所述3区位于所述2区的外侧；其特征在于：所述电流流动区的所有的所述P型薄层的宽度相同、所有的所述N型薄层的宽度也相同；两个相邻的所述P型薄层和所述N型薄层之间的宽度比值为薄层宽度比，所述电流流动区的各处的薄层宽度比都相同；至少部分的所述终端保护结构的薄层宽度比小于所述电流流动区的薄层宽度比；相邻的所述P型薄层的宽度和P型杂质浓度的积和所述N型薄层的宽度和N型杂质浓度的积的比值为杂质总量比，所述电流流动区的各处的所述杂质总量比都相同；所述终端保护结构的各处的所述杂质总量比都小于等于所述电流流动区的所述杂质总量比，且至少部分的所述终端保护结构的所述杂质总量比小于所述电流流动区的所述杂质总量比；在所有的所述P型薄层中，至少一个位于所述终端保护结构中的所述P型薄层的底部不和所述N+硅基片接触。