[发明专利]一种形成侧墙的方法及由该方法形成存储单元有效
| 申请号： | 201110322309.9 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102446752A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江;李全波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成侧墙的方法，包括以下步骤，在具有栅极结构和源漏预制备区域的半导体衬底上形成所述栅极结构的侧墙；对形成的侧墙进行刻蚀，形成下宽上窄形侧墙；以预定离子对所述源漏预制备区域进行重掺杂，以形成源漏区，且使用于重掺杂的所述预定离子渗入所述侧墙底部。本发明提供的方法在侧墙刻蚀工艺中，通过调整刻蚀后的侧墙形貌来调整源漏重掺杂注入离子的分布，可提高了漏端沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，提高了浮体效应存储单元的写入速度，又不会带来严重的短沟道效应，使得器件性能得以保持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 方法 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种形成侧墙的方法，其特征在于，包括以下步骤，在具有栅极结构和源漏预制备区域的半导体衬底上形成所述栅极结构的侧墙；对形成的侧墙进行刻蚀，形成下宽上窄形侧墙；以预定离子对所述源漏预制备区域进行重掺杂，以形成源漏区，且使用于重掺杂的所述预定离子渗入所述侧墙底部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
