[发明专利]一种形成侧墙的方法及由该方法形成存储单元有效
| 申请号： | 201110322309.9 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102446752A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江;李全波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 方法 存储 单元 | ||
1.一种形成侧墙的方法，其特征在于，包括以下步骤，
在具有栅极结构和源漏预制备区域的半导体衬底上形成所述栅极结构的侧墙；
对形成的侧墙进行刻蚀，形成下宽上窄形侧墙；
以预定离子对所述源漏预制备区域进行重掺杂，以形成源漏区，且使用于重掺杂的所述预定离子渗入所述侧墙底部。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底设有浅沟槽隔离结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极和半导体衬底之间设有氧埋层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底由硅衬底、覆盖在硅衬底上的氧埋层和覆盖在氧埋层上的顶层硅组成。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀分为第一阶段刻蚀、第二阶段刻蚀和第三阶段刻蚀；
所述第一阶段刻蚀的工艺参数为压力4~8mt、源功率600~700w、偏压功率450~500v、CF4 25~30sccm、O2 25~30sccm、Ar 100~150sccm；
所述第二阶段刻蚀的工艺参数为压力10~15mt、源功率200~300w、偏压功率400~450v、CHF3 60~70sccm、O2 40~50sccm、Ar 100~150sccm；
所述第三阶段刻蚀的工艺参数为压力20~25mt、源功率200~300w、偏压功率400~450v、CHF3 60~70sccm、O2 40~50sccm。
6.一种由权利要求1所述方法所形成的结构，其特征在于，包括：
一半导体衬底，以及其设置上半导体衬底上的栅极结构和源漏区，所述源漏区的两侧设有STI结构；
所述栅极结构两侧设有侧墙，所述侧墙为下宽上窄形。
7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述栅极和半导体衬底之间设有氧埋层。
8.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述侧墙侧面为直角三角形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
