[发明专利]衬底驱动低压运算放大器电路无效
| 申请号： | 201110311550.1 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102394582A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李娅妮;杨银堂;朱樟明;强玮 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;赵爱军 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种衬底驱动低压运算放大器，包括差分输入级；所述差分输入级，包括第一级差分输入级和第二级差分输入级；所述第二级差分输入级包括作为输入差分对管连接成共源级结构的两衬底驱动MOS晶体管；所述第一级差分输入级的输出端与该两衬底驱动MOS晶体管的衬底端连接；该两衬底驱动MOS晶体管的栅端接地电平，该两衬底驱动MOS晶体管的漏端为所述第二级差分输入级的输出端。本发明可以有效减小系统工作所必需的电源电压，使芯片在更低的电源电压下达到相同的性能，实现低压低功耗设计。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 驱动 低压 运算放大器 电路 | ||
【主权项】：
一种衬底驱动低压运算放大器，包括差分输入级，其特征在于，所述差分输入级，包括第一级差分输入级和第二级差分输入级；所述第二级差分输入级包括作为输入差分对管连接成共源级结构的两衬底驱动MOS晶体管；所述第一级差分输入级的输出端与该两衬底驱动MOS晶体管的衬底端连接；该两衬底驱动MOS晶体管的栅端接地电平，该两衬底驱动MOS晶体管的漏端为所述第二级差分输入级的输出端。
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