[发明专利]衬底驱动低压运算放大器电路无效
申请号: | 201110311550.1 | 申请日: | 2011-10-14 |
公开(公告)号: | CN102394582A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 李娅妮;杨银堂;朱樟明;强玮 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;赵爱军 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 驱动 低压 运算放大器 电路 | ||
1.一种衬底驱动低压运算放大器,包括差分输入级,其特征在于,
所述差分输入级,包括第一级差分输入级和第二级差分输入级;
所述第二级差分输入级包括作为输入差分对管连接成共源级结构的两衬底驱动MOS晶体管;
所述第一级差分输入级的输出端与该两衬底驱动MOS晶体管的衬底端连接;
该两衬底驱动MOS晶体管的栅端接地电平,该两衬底驱动MOS晶体管的漏端为所述第二级差分输入级的输出端。
2.如权利要求1所述的衬底驱动低压运算放大器,其特征在于,所述衬底驱动MOS晶体管为衬底驱动PMOS晶体管。
3.如权利要求1所述的衬底驱动低压运算放大器,其特征在于,所述第一级差分输入级包括级联的源级跟随器。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的衬底驱动低压运算放大器,其特征在于,还包括增益级,其包括连接成共栅级结构的两NMOS晶体管;
所述第二级差分输入级的输出端与该两NMOS晶体管的源端连接,该两NMOS晶体管中的靠近同相输入端的一NMOS晶体管的漏端为所述增益级的输出端;
该两NMOS晶体管分别采用一PMOS晶体管作为电流源负载。
5.如权利要求4所述的衬底驱动低压运算放大器,其特征在于,还包括输出级,该输出级包括PMOS晶体管和NMOS晶体管,该PMOS晶体管连接为共源级结构,该NMOS晶体管为该共源级结构的有源负载,该PMOS晶体管的栅端接所述增益级的输出电平,该PMOS晶体管的漏端为所述输出级的输出端。
6.如权利要求5所述的衬底驱动低压运算放大器,其特征在于,还包括补偿电路,其包括标准miller补偿电容;
该标准miller补偿电容,一端与所述输出级包含的PMOS晶体管的栅端连接,另一端与所述输出级包含的PMOS晶体管的漏端连接。
7.如权利要求6所述的衬底驱动低压运算放大器,其特征在于,所述补偿电路还包括零点消除电容和偏置提供电路,其中,
该零点消除电容与所述输出级包括的NMOS晶体管的栅极和漏极连接;
所述偏置提供电路为所述输出级包括的NMOS晶体管提供偏置。
8.如权利要求7所述的衬底驱动低压运算放大器,其特征在于,还包括启动电路;
所述启动电路,与所述补偿电路连接,用于为补偿电路中的偏置提供电路来提供初始触发电平,并通过该偏置提供电路为输出级提供初始触发电平。
9.如权利要求8所述的衬底驱动低压运算放大器,其特征在于,还包括过流保护电路,其包括PMOS晶体管和放电通路,其中,
该PMOS晶体管接成共源级结构,该PMOS晶体管的栅极与所述增益级的输出端连接;
所述放电通路与该PMOS晶体管的漏端连接;
当该PMOS晶体管的栅极电压高于预定电压时,电源电压经由所述放电通路放电。
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