[发明专利]一种有机/无机杂化太阳电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110310230.4 申请日: 2011-10-14
公开(公告)号: CN102412369A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 崔奇;王命泰;沈薇 申请(专利权)人: 中国科学院等离子体物理研究所
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种有机/无机杂化太阳电池及其制备方法,利用垂直生长于ITO衬基上的ZnO纳米棒阵列作为模板,制备了以ZnO为核CdS为壳的ZnO-CdS异质核壳结构纳米棒阵列;将聚合物与ZnO-CdS异质核壳结构纳米棒阵列复合,制成以ITO为阳极和Au膜为阴极的太阳电池。当CdS壳层厚度为6nm左右时,电池的性能最好,开路电压达到0.89V、短路电流为2.83mA/cm2及转换效率达到0.74%;与纯ZnO纳米棒阵列电池相比,ZnO-CdS阵列电池的开路电压提高了170%,短路电流增加了146%及转换效率提高了517%。
搜索关键词: 一种 有机 无机 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种有机/无机杂化太阳电池,其特征在于:包括有玻璃衬基、作为阳极的ITO层、ZnO‑CdS异质核壳结构纳米棒阵列、ZnO‑CdS异质核壳结构纳米棒外包覆的CdS壳层、MEH‑PPV膜层、PEDOT:PSS空穴传输层以及作为电池的阴极的Au膜层;所述的ITO层镀在玻璃衬基上作为电池的阳极,以垂直生长于ITO层之上的ZnO‑CdS异质核壳结构纳米棒阵列为电池的电子传输通道,用MEH‑PPV为光吸收材料且MEH‑PPV填充到ZnO‑CdS异质核壳结构纳米棒的间隙之中,同时在ZnO‑CdS异质核壳结构纳米阵列上方形成MEH‑PPV膜层,在MEH‑PPV膜层上沉积PEDOT:PSS作为空穴传输层,在空穴传输层上沉积Au膜作为电池的阴极。
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