[发明专利]一种有机/无机杂化太阳电池及其制备方法无效
申请号: | 201110310230.4 | 申请日: | 2011-10-14 |
公开(公告)号: | CN102412369A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 崔奇;王命泰;沈薇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机/无机杂化太阳电池及其制备方法,利用垂直生长于ITO衬基上的ZnO纳米棒阵列作为模板,制备了以ZnO为核CdS为壳的ZnO-CdS异质核壳结构纳米棒阵列;将聚合物与ZnO-CdS异质核壳结构纳米棒阵列复合,制成以ITO为阳极和Au膜为阴极的太阳电池。当CdS壳层厚度为6nm左右时,电池的性能最好,开路电压达到0.89V、短路电流为2.83mA/cm2及转换效率达到0.74%;与纯ZnO纳米棒阵列电池相比,ZnO-CdS阵列电池的开路电压提高了170%,短路电流增加了146%及转换效率提高了517%。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 无机 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种有机/无机杂化太阳电池,其特征在于:包括有玻璃衬基、作为阳极的ITO层、ZnO‑CdS异质核壳结构纳米棒阵列、ZnO‑CdS异质核壳结构纳米棒外包覆的CdS壳层、MEH‑PPV膜层、PEDOT:PSS空穴传输层以及作为电池的阴极的Au膜层;所述的ITO层镀在玻璃衬基上作为电池的阳极,以垂直生长于ITO层之上的ZnO‑CdS异质核壳结构纳米棒阵列为电池的电子传输通道,用MEH‑PPV为光吸收材料且MEH‑PPV填充到ZnO‑CdS异质核壳结构纳米棒的间隙之中,同时在ZnO‑CdS异质核壳结构纳米阵列上方形成MEH‑PPV膜层,在MEH‑PPV膜层上沉积PEDOT:PSS作为空穴传输层,在空穴传输层上沉积Au膜作为电池的阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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