[发明专利]半导体器件制造方法、衬底处理装置和半导体器件有效
| 申请号： | 201110309216.2 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102446741A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 山本克彦;竹林雄二;斋藤达之;奥野正久 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开的一些实施方式提供了半导体器件制造方法、衬底处理装置和半导体器件。一种半导体器件制造方法，包括：将衬底加载到处理室中，在该衬底上形成了高k膜；通过在衬底上辐射微波而加热高k膜；以及从处理室卸载该衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：将衬底加载到处理室中，在所述衬底上形成了高k膜；通过在所述衬底上辐射微波而加热所述高k膜；以及从所述处理室卸载所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
