[发明专利]半导体器件制造方法、衬底处理装置和半导体器件有效
| 申请号： | 201110309216.2 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102446741A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 山本克彦;竹林雄二;斋藤达之;奥野正久 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括：
将衬底加载到处理室中，在所述衬底上形成了高k膜；
通过在所述衬底上辐射微波而加热所述高k膜；以及
从所述处理室卸载所述衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述高k膜是具有为8或者更大的介电常数并且包括Si、Al、Zr、Hf、Ti和Sr中的任意一种的原子百分比为20％或者更多的化合物，或者是包括所述化合物的层压膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述高k膜的介电弛豫的频率特性选择所述微波的频率。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述微波的频率选自为0.5GHz至300GHz的频带。
5.根据权利要求1所述的方法，其中当所述高k膜被改性时，在所述微波辐射到所述衬底上时冷却或者加热所述衬底。
6.一种半导体器件，其通过权利要求1所述的半导体制造方法制造。
7.一种衬底处理装置，包括：
处理室；
微波生成设备，配置成生成微波；
波导，配置成将在所述微波生成设备中生成的所述微波供应给所述处理室；以及
控制单元，配置成控制所述微波生成设备以将所述微波从所述波导供应到所述处理室，所述处理室中容纳在其上形成了高k膜的衬底。
8.根据权利要求7所述的装置，进一步包括：反射机构，其具有配置成反射所述微波的反射板并且具有配置成旋转所述反射机构的反射板旋转机构，所述反射机构被提供在处理室中，并且其中所述控制单元控制所述微波生成设备和所述反射机构以将所述微波供应到所述处理室、旋转所述反射板并且在所述处理室中漫射所述微波。
9.一种衬底处理装置，包括：
反应容器，配置成容纳在其上形成了高k膜的多个衬底；
衬底支撑构件，配置成支撑在所述反应容器内堆叠的所述衬底；
微波生成设备，配置成生成微波；以及
波导，配置成将在所述微波生成设备内生成的所述微波供应给所述反应容器，
其中，所述衬底堆叠在所述衬底支撑构件中，从而使得在相应衬底的顶表面上形成具有高度大于供应到所述反应容器中的所述微波的半波长的空间，并且所述波导安装在所述反应容器的侧壁上。
10.一种半导体器件，其通过使用根据权利要求7所述的衬底处理装置制造而成。
11.一种半导体器件，其通过使用根据权利要求9所述的衬底处理装置制造而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
