[发明专利]形成半导体器件的栅极的方法有效
| 申请号： | 201110308347.9 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102361011A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 车韩燮 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3065;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种形成半导体器件的栅极的方法。还提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：由支撑衬底、掩埋绝缘层和半导体层组成的衬底；在所述半导体层内彼此间隔形成的第一和第二沟槽以使所述掩埋绝缘暴露出来；和在所述第一和第二沟槽的内侧壁上和在不形成所述沟槽的半导体层上形成的栅极绝缘层；和覆盖所述栅极绝缘层的栅极导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 栅极 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：由支撑衬底、掩埋绝缘层和半导体层组成的衬底；在所述半导体层内彼此间隔形成的第一和第二沟槽以使所述掩埋绝缘暴露出来；和在所述第一和第二沟槽的内侧壁上和在不形成所述沟槽的半导体层上形成的栅极绝缘层；和覆盖所述栅极绝缘层的栅极导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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