[发明专利]用于CMOS图像传感器的无损杂质掺杂的方法有效
| 申请号： | 201110308295.5 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446943A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 顾克强;刘家颖;戴幸志;V·韦内齐亚 | 申请（专利权）人： | 美商豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造背照式像素的方法。该方法包括在基板的正面上或正面中形成像素的正面组件，正面组件包括具有第一极性的感光区。该方法进一步包括在该基板的背面上形成具有第二极性的纯掺杂剂区、将激光脉冲施加至该基板的背面以熔化该纯掺杂剂区，并且使该纯掺杂剂区再结晶化以形成背面掺杂层。也揭示并主张了对应的装置实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cmos 图像传感器 无损 杂质 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种制造背照式像素的方法，所述方法包括：在基板的正面上或正面中形成像素的正面组件，所述正面组件包括具有第一极性的感光区；在所述基板的背面上形成具有第二极性的纯掺杂剂区；将激光脉冲施加至所述基板的所述背面以熔化所述纯掺杂剂区；以及使所述纯掺杂剂区再结晶化以形成背面掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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