[发明专利]一种新型电场调控的互补场效应管及其逻辑电路有效
申请号: | 201110304805.1 | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN102593129A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 韩秀峰;郭鹏;陈怡然;刘东屏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;G11C11/15;G11C11/40 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种新型电场调制型场效应管及其衍生的互补型场效应管。所述新型场效应管的栅极和背栅施加一定电压时,源极和漏极之间的电阻状态在高低阻态之间变化;所述的互补型场效应管具有栅极、背栅、源极1和漏极1、源极2、漏极2,当栅极和背栅施加一定电压时,源极1和漏极1之间的电阻状态与源极2和漏极2之间的电阻状态变化相反,呈互补形式。利用上述的场效应管和互补型场效应管可以设计基本的逻辑电路,并包括由基本电路所组合形成的其它电路,以及现场可编程门阵列(FPGA)。利用线性电致电阻效应可以设计数控可调电阻。本发明提出的新型场效应管和互补型场效应管具有设计简单,集成度高、输入阻抗大、非易失性等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 电场 调控 互补 场效应 及其 逻辑电路 | ||
【主权项】:
一种新型的电场调制型互补场效应管,其特征在于,所述互补型场效应管的基本结构为导电层1、绝缘势垒层1、缓冲层1、功能层、缓冲层2、绝缘势垒层2、导电层2、缓冲层1和缓冲层2上的电极作为该互补型场效应管的栅极和背栅,用于进行电场的垂直或水平施加;导电层1上的两个电极作为源极1和漏极1,导电层2上的两个电极作为源极2和漏极2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的