[发明专利]MEMS振荡器

摘要

压阻MEMS振荡器使用输出电路(31)来控制谐振器本体(20)两端的电压。这导致谐振器的DC偏置。在输出电路(31)的输出(32)与谐振器本体(20)之间提供电流路径，使得由于谐振器本体电阻变化而导致的经过谐振器本体的电流变化或谐振器本体两端的电压变化耦合至输出。这种结构使用流经谐振器的偏置电流来导出输出。这样，使用相同的DC电流来提供所需DC谐振器偏置并驱动输出电路至其DC工作点。这种结构的有益效果是减小了功耗。此外，当使用其中采用了用于谐振器与放大器连接的虚接地的结构时，可以获得对于键合盘电容和其它杂散电容的减小的灵敏度。

主权项

一种压阻MEMS振荡器，包括：谐振器本体(20)；至少一个驱动电极(30)，位于谐振器本体附近，用于提供致动信号；至少一个偏置电极(44)，用于向谐振器本体提供偏置电流；输出电路(31；40)，用于产生输出，所述输出是依据谐振器本体(20)电阻变化的，其中，输出电路(31；40)控制谐振器本体(20)两端的电压或控制流经谐振器本体(20)的电流，以及其中，由于谐振器本体(20)电阻的变化而导致的流经谐振器本体的电流或谐振器本体两端的电压的变化，导致输出电路输出处的电流或电压的改变，其中，输出电路包括具有DC偏置端子(34；41)的放大器电路，所述DC偏置端子用于设置输出电路的DC偏置并从而设置谐振器(20)中的DC偏置电流，所述放大器电路包括：与谐振器本体(20)串联的晶体管(40)，其中，DC偏置(VBIAS)被施加至DC偏置端子(41)，DC偏置端子(41)与晶体管(40)的栅极或基极耦合；或者与谐振器本体串联并在谐振器本体的相对两侧的第一和第二晶体管，其中，DC偏置(VBIAS1，VBIAS2)被施加至与第一和第二晶体管的栅极或基极耦合的两个DC偏置端子，从而在放大器电路(31；40)的输出(32；43)与谐振器本体(20)之间提供电流路径。