[发明专利]一种防止在金属层上形成光刻胶孔洞的方法在审
| 申请号： | 201110301260.9 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102420129A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 黄晖;杨熙 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种防止在金属层上形成光刻胶孔洞的方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成一金属层；在所述金属层上涂敷一层附着剂；在所述附着剂上形成一底部抗反射涂层，使所述底部抗反射涂层紧密附着在所述金属层上；在所述底部抗反射涂层上形成光刻胶。本发明提供的防止在金属层上形成光刻胶孔洞的方法，利用在金属层上涂敷一层附着剂，使底部抗反射涂层与金属层之间的粘附性增强，从而使底部抗反射涂层涂覆均匀，不致使形成在底部抗反射涂层上的光刻胶产生孔洞，最终保证了工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 金属 形成 光刻 孔洞 方法 | ||
【主权项】：
一种防止在金属层上形成光刻胶孔洞的方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成一金属层；在所述金属层上涂敷一层附着剂；在所述附着剂上形成一底部抗反射涂层，使所述底部抗反射涂层紧密附着在所述金属层上；在所述底部抗反射涂层上形成光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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