[发明专利]具有阶梯型氧化埋层的SOI结构的制作方法

摘要

本发明提供形成具有阶梯型氧化埋层的SOI结构的两种方法，第一种包括：提供用于分别形成源区、漏区的第一、第三区域及形成有栅极、栅极绝缘层及硬掩膜层的第二区域的P型半导体衬底，且该衬底内具有BOX层；在BOX层下方形成漏区所对应的P型元素重掺杂区；形成覆盖硬掩膜层、栅极及栅极绝缘层侧边的侧壁；形成N型源区与N型漏区；对除侧壁外的位于源区与漏区对应的BOX层下方的衬底进行氧离子注入；高温退火将氧离子注入区与BOX层一起形成阶梯型氧化层。另外一种做法在衬底顶层形成N型掺杂区，在该掺杂区内形成源区与漏区。采用本发明的技术方案，可以解决现有的SOI结构出现的短沟道效应。

主权项

一种具有阶梯型氧化埋层的SOI结构的制作方法，其特征在于，包括：提供具有BOX层的P型半导体衬底，所述P型半导体衬底包括用于形成源区的第一区域、用于形成栅极的第二区域、用于形成漏区的第三区域，所述第二区域上形成有栅极、栅极绝缘层及硬掩膜层；经所述P型半导体衬底的表面对第三区域的半导体衬底进行P型离子注入，以在BOX层下方形成漏区所对应的P型元素重掺杂区；在所述硬掩膜层及第一区域与第三区域的半导体衬底上淀积第二绝缘层，回蚀以形成覆盖所述硬掩膜层、栅极及栅极绝缘层侧边的侧壁；所述侧壁位于第一区域与第三区域；干法刻蚀去除硬掩膜层侧边的侧壁；经所述半导体衬底的表面对除侧壁外的位于第一区域与第三区域对应的BOX层下方的半导体衬底进行氧离子注入；经所述P型半导体衬底的表面对位于BOX层上的第一区域及第三区域的半导体衬底进行N型离子注入，以形成源区与漏区；去除硬掩膜层；高温退火后，经氧离子注入区域与BOX层一起形成阶梯型的氧化层。