[发明专利]分离栅闪存的有源区制造方法

摘要

本发明公开了一种分离栅闪存的有源区制造方法，在分离栅闪存的有源区制作浮栅过程中，对SL区域采用掩膜层进行遮挡，使得SL区域内中间部分的浮栅层不被刻蚀掉，这样，在后续SL区域采用刻蚀方式去除浮栅层上方的氧氮氧层及控制栅多晶硅层，以及去除浮栅层时，都是平面刻蚀，在不损伤SL区域的硅衬底情况下，将SL区域硅衬底上的浮栅层、氧氮氧层及控制栅多晶硅层都刻蚀完。因此，本发明提供的方法防止了分离栅闪存的有源区中的SL区域硅衬底损伤，降低了有源区的存储单元的Rs电阻率，最终提高所制作的分离栅闪存器件性能。

主权项

一种分离栅闪存的有源区制作方法，其特征在于，该方法包括：在提供的半导体衬底上沉积浮栅层，对浮栅层采用光刻和刻蚀工艺形成浮栅，在源极线SL区域内，在刻蚀得到浮栅过程中，SL区域采用第一掩膜层遮挡，SL区域内的浮栅层没有被刻蚀掉；在裸露的半导体衬底及浮栅层表面，依次沉积氧氮氧层、控制栅多晶硅层、控制栅氧化层和第二掩膜层后，采用光刻和刻蚀工艺在浮栅上形成控制栅，浮栅和控制栅之间通过氧氮氧层隔离，形成存储单元，在SL区域，控制栅多晶硅层也被同时部分刻蚀掉；采用第二掩膜层遮挡已经制作好的存储单元，然后对SL区域继续刻蚀，依次采用刻蚀的方式去除剩余的控制栅多晶硅层、氧氮氧层及浮栅层。