[发明专利]一种制作在金属薄膜的砷化镓高效能太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 201110295463.1 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN102412319A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 陈聪茂 | 申请(专利权)人: | 陈聪茂 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/18 |
代理公司: | 上海申蒙商标专利代理有限公司 31214 | 代理人: | 徐小蓉 |
地址: | 214101 江苏省无锡市滨湖区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于能源领域,特别是指一种使用金属薄膜制作的砷化镓高效能太阳能电池及其制作方法,其特征在于:所述太阳能电池的基板由不锈钢薄膜,以及溅射镀于其表面的钨,钼,或钽金属薄膜构成,在所述基板上以气体淀积方式成长的数层不同电性的砷化镓材料层之间造成几层可光电转换的介面层。本发明的优点是:使用金属薄膜作基材,特别是不锈钢薄膜,成本特别低廉材质强韧耐温、可卷曲于轴轮,运输,长时间储存,绝不影响其电性及光电转换率、在淀积制程的过程中,化学气体材料损耗率少,在太阳能电池制程设备的设计及操作,相对的趋向简易,同时可自动化,减少人工,由于基板材料取得容易,加工过程简化,又能自动化控制,产量质量易于提升,并可节省巨大能耗并达到减排二氧化碳的目的,可大大的减少有害环境的有毒尾气排放,减少对环境的污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 制作 金属 薄膜 砷化镓 高效能 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种制作在金属薄膜的砷化镓高效能太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池是用溅射镀于不锈钢薄膜表面的钨,钼,或钽之薄层作为嫁接材料以嫁接随后交互淀积在上面的不同电性砷化镓材料层而构成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的