[发明专利]多晶硅制造装置及利用该装置的多晶硅制造方法无效

专利信息
申请号: 201110294450.2 申请日: 2011-09-30
公开(公告)号: CN102745693A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 丁允燮;金根镐;尹汝均;金镇成 申请(专利权)人: 硅科创富有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C01B33/031
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 姜虎;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种多晶硅制造装置,包括:反应管,在内部包含硅颗粒;流动气体供应部,向上述反应管内的硅颗粒供应流动气体;气体排出部,排出在上述反应管中产生的气体;压力传感器,安装于上述气体排出部或上述流动气体供应部内;以及颗粒排出口,当上述压力传感器测量的压力大于等于基准压力值时,将在上述反应管内部形成的多晶硅排出到外部。
搜索关键词: 多晶 制造 装置 利用 方法
【主权项】:
一种多晶硅制造装置,其特征在于,包括:反应管,在内部包含硅颗粒;流动气体供应部,向上述反应管内的硅颗粒供应流动气体;气体排出部,排出在上述反应管中产生的气体;压力传感器,安装于上述气体排出部或上述流动气体供应部内;以及颗粒排出口,当上述压力传感器测量的压力大于等于基准压力值时,将在上述反应管内部形成的多晶硅排出到外部。
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