[发明专利]多晶硅制造装置及利用该装置的多晶硅制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅制造装置，其特征在于，包括：

反应管，在内部包含硅颗粒；

流动气体供应部，向上述反应管内的硅颗粒供应流动气体；

气体排出部，排出在上述反应管中产生的气体；

压力传感器，安装于上述气体排出部或上述流动气体供应部内；以及

颗粒排出口，当上述压力传感器测量的压力大于等于基准压力值时，将在上述反应管内部形成的多晶硅排出到外部。

2.根据权利要求1所述的多晶硅制造装置，其特征在于：

上述压力传感器分别安装于上述气体排出部及上述流动气体供应部内，

当在上述流动气体供应部内测量的第1压力和在上述气体排出部测量的第2压力的压力差大于等于基准压力值时，将在上述反应管内部形成的多晶硅排出到外部。

3.根据权利要求2所述的多晶硅制造装置，其特征在于：

还包括控制部，对上述第1压力和第2压力值进行比较，当压力差大于等于基准压力值时，启动上述颗粒排出口，将上述多晶硅排出到外部。

4.根据权利要求1所述的多晶硅制造装置，其特征在于：

上述反应管的材质从由石英、二氧化硅、氮化硅、氮化硼、氧化锆、氧化钇、碳化硅、石墨、硅、玻碳构成的群中选择。

5.根据权利要求4所述的多晶硅制造装置，其特征在于：

当上述反应管的材质为含碳材质时，上述反应管的内壁面利用硅、二氧化硅、石英、氮化硅中的至少一种进行衬里。

6.根据权利要求1所述的多晶硅制造装置，其特征在于：

还包括用于组装上述流动气体供应部的底面部，

上述底面部包含依次层叠的底层分布板、第1分布板、第2分布板、第3分布板。

7.根据权利要求6所述的多晶硅制造装置，其特征在于：

上述第2分布板与上述第3分布板分别包含多个分布板块。

8.根据权利要求6或7所述的多晶硅制造装置，其特征在于：

设有围绕上述第2分布板四周的绝缘环。

9.根据权利要求6所述的多晶硅制造装置，其特征在于：

上述第2分布板的末端与上述底层分布板的一面保持间隔。

10.根据权利要求6所述的多晶硅制造装置，其特征在于：

上述第1分布板的一部分位于上述底层分布板与上述第2分布板的末端之间。