[发明专利]介电堆栈有效
| 申请号： | 201110291111.9 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102412131A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 郑盛文;胡瑞德;S·许;L·C·夏 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8247;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及一种介电堆栈，本发明是揭露一种形成器件的方法。该方法包括提供衬底且于该衬底上形成具有形成厚度TFD的器件层。具有形成厚度TFC的盖体层是形成于该衬底上。形成该盖体层消耗该器件层所需的量，以造成该器件层的厚度大约为该目标厚度TTD。该盖体层的厚度是由TFC调整为大约目标厚度TTC。 | ||
| 搜索关键词： | 堆栈 | ||
【主权项】：
一种形成器件的方法，包含：提供一衬底；于该衬底上形成具有形成厚度TFD的器件层；于该衬底上形成具有形成厚度TFC的盖体层，其中形成该盖体层消耗该器件层所需的量，以造成该器件层的厚度大约为目标厚度TTD；以及将该盖体层的厚度自TFC调整至大约目标厚度TTC。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
