[发明专利]BCD工艺中的NLDMOS器件及制造方法有效
| 申请号： | 201110283501.1 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103022125A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 韩峰;董金珠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BCD工艺中的NLDMOS器件，NLDMOS器件的漏端包括：N阱，形成于N型外延层中，被场氧化层的一侧部分覆盖；第一N型注入区，形成于N型中，和BCD工艺中的齐纳二极管的N型注入区的工艺条件相同；第二N型注入区，形成于第一N型注入区中，和NLDMOS器件的源极的离子注入区的工艺条件相同。本发明还公开了一种BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法。本发明能在保证器件的击穿电压不变的条件下减少器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | bcd 工艺 中的 nldmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种BCD工艺中的NLDMOS器件，其特征在于：NLDMOS器件的漏端包括：N阱，形成于N型外延层中，被场氧化层的一侧部分覆盖；第一N型注入区，形成于所述N型中，和BCD工艺中的齐纳二极管的N型注入区的工艺条件相同；第二N型注入区，形成于所述第一N型注入区中，和所述NLDMOS器件的源极的离子注入区的工艺条件相同。
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