[发明专利]BCD工艺中的NLDMOS器件及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种BCD工艺中的NLDMOS器件，本发明还涉及一种BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法。

背景技术

BCD工艺为在同一芯片上制作双极晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)、互补型金属氧化物半导体(CMOS)、扩散金属氧化物半导体(DMOS)的工艺。在采用BCD工艺就进行制作N型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件过程中，为了要减小NLDMOS的导通电阻，并要击穿电压等各项指标都达到要求。通常需要调整工艺，并优化器件的各部分尺寸。为了降低导通电阻，通常会在漏端加入一个N阱。

如图1所示，为现有NLDMOS器件的结构示意图，现有NLDMOS器件包括：N阱102，形成于N型外延层101中，被场氧化层103的一侧部分覆盖。

P型背栅104，形成于所述N型外延层101中、并和所述场氧化层103的另一侧相隔一段距离；所述P型背栅104到所述N阱102之间的所述N型外延层101和所述N阱102为所述NLDMOS器件漂移区。

栅氧化层105，所述栅氧化层105的一侧和所述场氧化层103接触连接、所述栅氧化层105的另一侧覆盖于所述P型背栅104上。

栅氧化层106，形成于所述栅氧化层105上并延伸到所述场氧化层103上。

源极107，为一N+区且形成所述栅氧化层105另一侧的所述P型背栅104中；漏极108，形成于所述场氧化层103的一侧的所述N阱102中，掺杂条件和所述源极相同。

P型背栅接触区109，形成所述栅氧化层105另一侧的所述P型背栅104中，所述背栅接触区109和所述P型背栅104接触并将所述P型背栅104引出。

如图1所示的现有NLDMOS器件，在增加了一所述N阱102后，能够减小NLDMOS的导通电阻。但是，即使有这个N阱102，在保证击穿电压的情况下，有时也不能使NLDMOS的导通电阻降到需要的值。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种BCD工艺中的NLDMOS器件，能在保证器件的击穿电压不变的条件下减少器件的导通电阻；本发明还提供一种BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法。

为解决上述技术问题，本发明提供一种BCD工艺中的NLDMOS器件，NLDMOS器件的漏端包括：N阱，形成于N型外延层中，被场氧化层的一侧部分覆盖；第一N型注入区，形成于所述N型中，和BCD工艺中的齐纳二极管的N型注入区的工艺条件相同；第二N型注入区，形成于所述第一N型注入区中，和所述NLDMOS器件的源极的离子注入区的工艺条件相同。

进一步的改进是，所述NLDMOS器件的还包括：

P型背栅，形成于所述N型外延层中、并和所述场氧化层的另一侧相隔一段距离；所述P型背栅到所述N阱之间的所述N型外延层、所述N阱和所述第一N型注入区为所述NLDMOS器件漂移区。

栅氧化层，所述栅氧化层的一侧和所述场氧化层接触连接、所述栅氧化层的另一侧覆盖于所述P型背栅上。

多晶硅栅，形成于所述栅氧化层上并延伸到所述场氧化层上。

源极，形成所述栅氧化层另一侧的所述P型背栅中。

P型背栅接触区，形成所述栅氧化层另一侧的所述P型背栅中，所述背栅接触区和所述P型背栅接触并将所述P型背栅引出。

进一步的改进是，所述P型背栅由两步注入形成的P型注入区组成。

为解决上述技术问题，本发明提供一种BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法，形成NLDMOS器件的漏端包括如下步骤：

在场氧化层形成后在N型外延层中形成N阱，所述N阱被所述场氧化层的一侧部分覆盖。

采用BCD工艺中的齐纳二极管的N型注入区的离子注入工艺在所述N型中形成第一N型注入区。

采用源极的离子注入工艺在第一N型注入区中形成第二N型注入区。

进一步的改进是，所述BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法包括如下步骤：

步骤一、在所述N型外延层上形成所述场氧化层。

步骤二、在所述场氧化层一侧的所述N型外延层中进行离子注入形成所述N阱。

步骤三、形成栅氧化层，并淀积多晶硅；采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀定义出所述源极的形成区域、并将所述源极的形成区域上的所述多晶硅刻蚀掉。