[发明专利]BCD工艺中的NLDMOS器件及制造方法

权利要求书

1.一种BCD工艺中的NLDMOS器件，其特征在于：NLDMOS器件的漏端包括：

N阱，形成于N型外延层中，被场氧化层的一侧部分覆盖；

第一N型注入区，形成于所述N型中，和BCD工艺中的齐纳二极管的N型注入区的工艺条件相同；

第二N型注入区，形成于所述第一N型注入区中，和所述NLDMOS器件的源极的离子注入区的工艺条件相同。

2.如权利要求1所述的BCD工艺中的NLDMOS器件，其特征在于：所述NLDMOS器件的还包括：

P型背栅，形成于所述N型外延层中、并和所述场氧化层的另一侧相隔一段距离；所述P型背栅到所述N阱之间的所述N型外延层、所述N阱和所述第一N型注入区为所述NLDMOS器件漂移区；

栅氧化层，所述栅氧化层的一侧和所述场氧化层接触连接、所述栅氧化层的另一侧覆盖于所述P型背栅上；

多晶硅栅，形成于所述栅氧化层上并延伸到所述场氧化层上；

源极，形成所述栅氧化层另一侧的所述P型背栅中；

P型背栅接触区，形成所述栅氧化层另一侧的所述P型背栅中，所述背栅接触区和所述P型背栅接触并将所述P型背栅引出。

3.如权利要求1所述的BCD工艺中的NLDMOS器件，其特征在于：所述P型背栅由两步注入形成的P型注入区组成。

4.一种BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于：形成NLDMOS器件的漏端包括如下步骤：

在场氧化层形成后在N型外延层中形成N阱，所述N阱被所述场氧化层的一侧部分覆盖；

采用BCD工艺中的齐纳二极管的N型注入区的离子注入工艺在所述N型中形成第一N型注入区；

采用源极的离子注入工艺在第一N型注入区中形成第二N型注入区。

5.如权利要求4所述的BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在所述N型外延层上形成所述场氧化层；

步骤二、在所述场氧化层一侧的所述N型外延层中进行离子注入形成所述N阱；

步骤三、形成栅氧化层，并淀积多晶硅；采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀定义出所述源极的形成区域、并将所述源极的形成区域上的所述多晶硅刻蚀掉；

步骤四、以所述第一次刻蚀的光刻胶为掩膜进行离子注入在所述N型外延层中形成P型背栅，所述P型背栅和所述场氧化层的另一侧相隔一段距离；

步骤五、采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅进行第二次刻蚀形成多晶硅栅，所述多晶硅栅延伸到所述场氧化层上；在所述多晶硅栅的侧面上形成侧墙；

步骤六、采用BCD工艺中的齐纳二极管的N型注入区的离子注入工艺在所述N型中形成第一N型注入区；

步骤七、以所述多晶硅栅和其侧墙为硬掩膜进行N型离子注入工艺同时形成所述源极和所述第二N型注入区；形成P型背栅接触区。

6.如权利要求4或5所述的BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述N阱的离子注入的注入杂质为磷或砷、注入能量为0keV～2000keV，剂量为10¹¹cm^-2～10¹⁵cm^-2、一次或多次注入。

7.如权利要求4或5所述的BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第一N型注入区的离子注入的注入杂质为磷、注入能量为0keV～1000keV、注入剂量为10¹²cm^-2～10¹⁶cm^-2。

8.如权利要求5所述的BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述P型背栅的采用两步离子注入工艺形成，第一步离子注入的注入角度为30°～60°、注入杂质为硼、能量为100keV～300keV、剂量为10¹²cm^-2～10¹⁴cm^-2；第二步离子注入的注入角度为0°、注入杂质为硼、能量为100keV～300keV、剂量为10¹²cm^-2～10¹⁴cm^-2。