[发明专利]一种倒装三结InGaN太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种倒装三结InGaN太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：⑴载体上蒸镀反射层，反射层上溅射两个金属凸点；⑵衬底上依次生成GaN成核层、GaN缓冲层、第一InGaN电池、第一隧道结、第二InGaN电池、第二隧道结、第三InGaN电池、帽层、半透明电流扩展层；⑶第一次光刻；⑷干法蚀刻；⑸第二次光刻；⑹正、负电极蒸镀，构成太阳电池器件；⑺将步骤⑹中正、负电极与步骤⑴中两个金属凸点键合。本发明采用倒装结构、帽层，载体与正、负电极间键合的金属凸点，充分吸收了太阳光谱，外量子效率超过70%，提高了光电转换效率，延长了电池的使用寿命，加强了电池工作的稳定性，并可作为完整的电池直接应用。

主权项

一种倒装三结InGaN太阳能电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤：⑴ 在载体上蒸镀反射层，并在反射层上溅射两个金属凸点；⑵ 通过金属有机化学气相沉积，在衬底上依次生长GaN成核层、 GaN缓冲层、第一InGaN电池、第一隧道结、第二InGaN电池、第二隧道结、第三InGaN电池、帽层；然后在帽层上蒸镀半透明电流扩展层； ⑶ 第一次光刻：在半透明电流扩展层上光刻出保护区和蚀刻区；⑷ 干法蚀刻：通过干法蚀刻，去掉步骤⑶中蚀刻区的半透明电流扩展层、帽层、第三InGaN电池、第二隧道结电池、第二InGaN电池、第一隧道结、第一InGaN电池的p‑InaGa1‑aN层；⑸ 第二次光刻：在步骤⑶中保护区的半透明电流扩展层上光刻出正电极区域，在步骤⑷中第一InGaN电池的n‑InaGa1‑aN层上刻出负电极区域；⑹电极蒸镀：在步骤⑸中的正电极区域和负电极区域分别蒸镀正电极和负电极，构成太阳电池器件；⑺ 将步骤⑹中的太阳电池器件倒置，并将其正电极和负电极对准步骤⑴中两个金属凸点键合。