[发明专利]采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法有效
| 申请号： | 201110280192.2 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102330058A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邓元;谭明;王瑶;张志伟;梁立新 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06;C30B23/02;C30B23/06;C30B29/46;C30B29/62 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 李有浩 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，该方法通过调节玻璃基板与钨舟的距离、交流电源输出电流的大小、蒸发源-碲化锑的沉积速率，从而在真空低温环境下在玻璃基板上沉积上具有多级次纳米线束阵列碲化锑。由于是低温环境，能够将多级次纳米线束阵列碲化锑沉积在如CPU处理器上。本发明方法能够使物理气相沉积制得的碲化锑纳米线阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 物理 沉积 制备 多级 次碲化锑 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，其特征在于包括有下列制备步骤：(A)将质量百分比纯度为99.999％的碲化锑粉末在8～10MPa压力下压制成碲化锑块体；所述碲化锑粉末的平均粒径小于50μm；(B)将碲化锑块体放入真空镀膜机的真空室(1)的钨舟(3)中，把基板(4)放置于样品台(5)上，调节基板(4)与钨舟(3)的距离d＝4～8cm；(C)向真空室(1)内充入2～5min氮气后停止，随后对真空室(1)抽真空，使真空室(1)内真空度达到2.0×10‑4Pa～5.0×10‑4Pa；(D)在PID控制器(2)上设定沉积速率10～18nm/min，沉积时间4～7h；(E)开启交流电源，调节输出电流165A～170A；开始在基板(4)上沉积制备碲化锑纳米线束阵列；沉积温度为25℃～60℃；(F)制备完毕，关闭交流电源，随真空镀膜机冷却至20℃～40℃后，取出，制得在基板(4)上沉积具有纳米线束阵列结构的碲化锑。
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