[发明专利]ZnTe单晶衬底有效
| 申请号： | 201110280113.8 | 申请日： | 2006-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102352536A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 朝日聪明;佐藤贤次;清水孝幸 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙秀武;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光调制元件用的ZnTe单晶衬底，其特征在于，厚度为1mm以上，结晶内所含的析出物的大小为2μm以下，密度小于200cm-3，相对于波长700～1500nm的光线，透光率为50％以上，或者相对于波长900～1500nm的光线，透光率为60％以上，并且没有析出物的区域距离表面为0.9mm以上，其中所述ZnTe单晶衬底是通过熔融液生长法获得的。 | ||
| 搜索关键词： | znte 衬底 | ||
【主权项】：
一种光调制元件用的ZnTe单晶衬底，其特征在于，厚度为1mm以上，结晶内所含的析出物的大小为2μm以下，密度小于200cm 3，相对于波长700～1500nm的光线，透光率为50％以上，并且没有析出物的区域距离表面为0.9mm以上，其中所述ZnTe单晶衬底是通过熔融液生长法获得的。
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