[发明专利]一种N型有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种N型有机薄膜晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、修饰层、有机半导体层，源电极和漏电极，所述有机半导体层包括N型有机半导体材料的第一有机半导体层和第二有机半导体层，在第一有机半导体层和第二有机半导体层间设有载流子阻挡层和修饰层。本发明通过引入载流子阻挡层，使器件形成两个沟道，减少了高偏压情况下晶体管沟道中载流子相互碰撞，散射和淬灭现象，提高器件的载流子迁移率；通过引入修饰层，使有机半导体层形成更好的表面形貌，提供更好的接触表面，提升了载流子在沟道中的传输能力。由于其多层结构具有保护作用，提高了晶体管在大气环境中的稳定性。

主权项

一种N型有机薄膜晶体管，其结构为底栅顶接触式或底栅底接触式，包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、第一修饰层、有机半导体层，源电极和漏电极，其特征在于：所述有机半导体层包括N型有机半导体材料的第一有机半导体层和第二有机半导体层，在第一有机半导体层和第二有机半导体层间设有载流子阻挡层。