[发明专利]多晶硅生产方法及其装置有效
| 申请号： | 201110278731.9 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102321916A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李严州;周劲松;茅陆荣;张华芹;周积卫 | 申请（专利权）人： | 上海森松新能源设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 201323 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种多晶硅生产方法及其装置。本发明中，包含两条工艺线，工艺线I：SiCl4和H2按一定摩尔配比，生成硅Si和氯化氢HCl；工艺线II：SiHCl3和H2按一定摩尔配比，生成Si、HCl和SiCl4。由于直接利用副产物SiCl4作为生产原料，降低了多晶硅生产原料成本，同时解决了多晶硅生产副产物SiCl4处理费用高，难度大等问题，进一步有效降低了多晶硅生产厂家的生产成本。而且，当硅棒的直径达到预设门限Do时，切换到第二条工艺线，有效降低了多晶硅生产电耗，进一步地，有效增加了硅棒生长直径，提高多晶硅生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 生产 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅生产方法，其特征在于，包含以下步骤：将SiCl4和H2按预设的第一摩尔配比比例反应得到Si和HCl，得到的所述Si沉积在硅芯电极上，反应所需的温度通过启动加热所述硅芯电极得到；当所述硅芯电极上的Si沉积至硅棒的直径达到预设门限Do时，停止所述SiCl4和H2的反应，利用所述硅芯电极的残余温度，将SiHCl3和H2按预设的第二摩尔配比比例反应得到Si、HCl和SiCl4，由SiHCl3和H2反应得到的Si继续沉积在所述硅芯电极上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海森松新能源设备有限公司，未经上海森松新能源设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110278731.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电力系统预警与评估指标的雷达图表示方法
- 下一篇：搬运车系统
