[发明专利]沉积纳米碳氮膜的多壁碳纳米管其制备方法与应用无效
| 申请号： | 201110276381.2 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102418068A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李德军;赵梦鲤;刘孟寅;董磊;岳玉琛 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/46;A61L27/30;A61L27/02 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 朱红星 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及沉积纳米碳氮膜的多壁碳纳米管，它选用将多壁碳纳米管喷涂在预先烧制碳膜的二氧化硅基片上，然后使用离子束辅助沉积系统在此喷涂后的碳纳米管上再沉积碳氮膜；本发明制备的沉积纳米碳氮膜的多壁碳纳米管测量结果表明，改性后材料的亲水性明显提高。小鼠肺部成纤维细胞和人血管内皮细胞（EAHY926）在材料上粘附实验说明在MWCNTs上沉积纳米CNx薄膜能够提高材料的细胞相容性，使得该材料在诸如组织支架等领域具有良好的研究应用价值和广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 纳米 碳氮膜 多壁碳 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
沉积纳米碳氮膜的多壁碳纳米管，它选用将多壁碳纳米管喷涂在预先烧制碳膜的二氧化硅基片上，然后使用离子束辅助沉积系统在此喷涂后的碳纳米管上再沉积碳氮膜；其特征在于沉积碳氮膜的本底真空度： 1.9×10‑4‑2.0×10‑4 Pa；工作气压：1.2×10‑2‑1.3×10‑2Pa；溅射离子源工艺参数：放电电压70 V，加速电压200 V，溅射能量1.05 keV, 溅射束流5~25 mA；辅助能量200 eV,辅助束流5‑25 mA，N 流量：4.0 sccm，溅射时间30 min；所制备材料的N、C原子比的比例为0.20~0.27:1。
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