[发明专利]沉积纳米碳氮膜的多壁碳纳米管其制备方法与应用无效
| 申请号： | 201110276381.2 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102418068A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李德军;赵梦鲤;刘孟寅;董磊;岳玉琛 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/46;A61L27/30;A61L27/02 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 朱红星 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 纳米 碳氮膜 多壁碳 制备 方法 应用 | ||
1.沉积纳米碳氮膜的多壁碳纳米管，它选用将多壁碳纳米管喷涂在预先烧制碳膜的二氧化硅基片上，然后使用离子束辅助沉积系统在此喷涂后的碳纳米管上再沉积碳氮膜；其特征在于沉积碳氮膜的本底真空度： 1.9×10-4-2.0×10-4 Pa；工作气压：1.2×10-2-1.3×10-2Pa；溅射离子源工艺参数：放电电压70 V，加速电压200 V，溅射能量1.05 keV, 溅射束流5~25 mA；辅助能量200 eV,辅助束流5-25 mA，N 流量：4.0 sccm，溅射时间30 min；所制备材料的N、C原子比的比例为0.20~0.27:1。
2.权利要求1所述沉积纳米碳氮膜的多壁碳纳米管，其中的多壁碳纳米管为粉末，可喷涂在以二氧化硅片或碳片为衬底的基片上。
3.沉积纳米碳氮膜的多壁碳纳米管的制备方法，其特征是：利用高真空离子束辅助沉积系统，用纯度为99.9%的石墨靶，本底真空1.9×10-4 Pa-2.0×10-4 Pa，沉积过程中溅射气体选用纯度均为99.99%Ar和N2，质量流量均为4.0 sccm；沉积过程中总的工作气压保持1.2×10-2 -1.3×10-2 Pa之间；溅射能量为1.05 keV，N离子辅助能量为200eV；通过控制辅助枪的束流5-25 mA获得N、C原子比0.20~0.27:1的碳氮膜，溅射时间30 min。
4.权利要求1所述沉积纳米碳氮膜的多壁碳纳米管在提高多壁碳纳米管材料亲水性方面的应用。
5.权利要求1所述沉积纳米碳氮膜的多壁碳纳米管作为具有细胞相容性的组织支架材料方面的应用。
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