[发明专利]一种甲基氯硅烷的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110273132.8 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN102286016A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 谭军;陈海庆;蒋旭明;李伟;马高琪;毛国清;夏青;唐嵩 申请(专利权)人: 江苏弘博新材料有限公司;嘉兴学院
主分类号: C07F7/12 分类号: C07F7/12
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 213373 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种甲基氯硅烷的制备方法,包括:将CH3Cl和从直接法生产(CH3)2SiCl2产生的共沸物分离得到的SiCl4副产物或西门子法生产多晶硅还原工艺中产生的SiCl4废液汽化后通入填充有铝粉的流化床反应器中,反应得到通式为(CH3)nSiCl4-n的甲基氯硅烷混合产物,其中n为1~4的自然数。本发明方法以直接法生产有机硅单体产生的共沸物分离得到的SiCl4副产物或西门子法生产多晶硅还原工艺中产生的SiCl4废液为原料,极大缓解了上述副产物对环境的影响。同时该方法不仅生产流程简便易行,可操作性强,易实现工业化,设备投资成本低,经济效益良好。
搜索关键词: 一种 甲基 硅烷 制备 方法
【主权项】:
一种甲基氯硅烷的制备方法,包括:将CH3Cl和从直接法生产(CH3)2SiCl2产生的共沸物分离得到的SiCl4副产物或西门子法生产多晶硅还原工艺中产生的SiCl4废液汽化后通入填充有铝粉的流化床反应器中,反应得到通式为(CH3)nSiCl4‑n的甲基氯硅烷混合产物,其中n为1~4的自然数。
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