[发明专利]一种热敏薄膜红外探测器制备方法有效
申请号: | 201110269428.2 | 申请日: | 2011-09-13 |
公开(公告)号: | CN102315329A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 甘先锋;杨水长;邹渊渊;孙瑞山;王宏臣;张连鹏 | 申请(专利权)人: | 烟台睿创微纳技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 264006 山东省烟台市烟台经济技*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种热敏薄膜红外探测器制备方法,包括:在红外探测器的读出电路上依次沉积牺牲层、热敏层和保护层,其中热敏层的材料为氧化钒,保护层的材料为氮化硅;同时对保护层和热敏层进行图形化;沉积介质层;刻蚀通孔和接触孔,所述通孔的刻蚀终止于所述读出电路的电极处;所述接触孔的刻蚀终止于所述热敏层表面;沉积金属电极层,并对金属电极层进行图形化;进行牺牲层的结构释放。本发明的方法增加了氮化硅层或SiO2作为氧化钒热敏层保护层,防止了氧化钒薄膜即热敏层在图形化工艺过程中发生热学和电学性能的改变,减小了对探测器性能的影响;同时,利用氮化硅和氧化钒蚀刻的高选择比,接触孔和通孔利用一块光刻版一次性完成孔图形的图形化。 | ||
搜索关键词: | 一种 热敏 薄膜 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种热敏薄膜红外探测器制备方法,包括:步骤1:在红外探测器的读出电路上依次沉积牺牲层、支撑层、热敏层和保护层,其中所述热敏层的材料为氧化钒,所述保护层的材料为氮化硅或二氧化硅;步骤2:同时对热敏层和保护层进行图形化处理,图形化后进行去胶处理;步骤3:在图形化后的热敏层和保护层上沉积介质层;步骤4:在沉积完介质层后的红外探测器表面蚀刻通孔和接触孔,所述通孔的蚀刻终止于所述读出电路的电极处,所述接触孔的蚀刻终止于所述热敏层的表面;步骤5:在经过通孔和接触孔图形化后的圆片表面沉积金属电极层,并对金属电极图形化;步骤6:金属电极完成后,沉积一层氮化硅钝化层,然后进行钝化层图形化和结构释放。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的