[发明专利]多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110266477.0 申请日: 2011-09-08
公开(公告)号: CN102994976A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 万冬云;黄富强;林天全;毕辉;谢晓明;江绵恒 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C14/16;C23C16/26;H01L21/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 项丹
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法,提供了一种用于层数连续可调的石墨烯的多元衬底,它包括:金属基底,所述金属基底为低溶碳金属M1,或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x,式中0<x<0.5;采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法覆盖在所述金属基底上的金属薄膜,所述金属薄膜为至少一层高溶碳金属M2,或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x,式中1>x>0.5;其中,M1为Cu,M2选自Ru、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、V、Rh、Pd、Co、lr、Pt、Mo、W、Zn或其组合。还提供了基于该多元衬底的层数连续可调的石墨烯,以及它们的制备方法。
搜索关键词: 多元 衬底 基于 层数 连续 可调 石墨 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于层数连续可调的石墨烯的多元衬底,它包括:金属基底,所述金属基底为低溶碳金属M1,或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11‑x+M2x,式中0<x<0.5;采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法覆盖在所述金属基底上的金属薄膜,所述金属薄膜为至少一层高溶碳金属M2,或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11‑x+M2x,式中1>x>0.5;其中,M1为Cu,M2选自Ru、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、V、Rh、Pd、Co、lr、Pt、Mo、W、Zn或其组合。
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