[发明专利]一种准单晶硅片的制绒方法无效
| 申请号： | 201110265315.5 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102306681A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 金若鹏 | 申请（专利权）人： | 浙江向日葵光能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 张谦 |
| 地址： | 312071 浙江省绍兴市袍江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池的生产技术方法领域，具体涉及一种准单晶硅片的制绒方法，包括先对以（100）晶粒为主的准单晶硅片采用碱制绒工序，再采用酸制绒工序。本发明相比单纯的酸制绒能够明显提高准单晶电池的光电转换效率，而且能明显消除采用单纯碱制绒所导致的部分绒面发亮的现象，整个过程可根据（100）晶粒所占的面积精确调整。该工艺方法过程完全可控，整体制绒效果好，外观合格，工艺简单，适用于准单晶硅片的大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
一种准单晶硅片的制绒方法，其特征在于：包括先对以（100）晶粒为主的准单晶硅片采用碱制绒工序，再采用酸制绒工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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