[发明专利]一种准单晶硅片的制绒方法无效
| 申请号： | 201110265315.5 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102306681A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 金若鹏 | 申请（专利权）人： | 浙江向日葵光能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 张谦 |
| 地址： | 312071 浙江省绍兴市袍江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种准单晶硅片的制绒方法，其特征在于：包括先对以（100）晶粒为主的准单晶硅片采用碱制绒工序，再采用酸制绒工序。
2.如权利要求1所述的一种准单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述碱制绒工序中，所选用的碱溶液为NaOH或KOH溶液，其质量分数为1%-3%。
3.如权利要求2所述的一种准单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述碱溶液中异丙醇的体积分数为3%-15%。
4.如权利要求3所述的一种准单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述碱溶液制绒时的温度为70℃-85℃。
5.如权利要求4所述的一种准单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述碱制绒工序后的准单晶硅片的腐蚀深度为1μm -10μm。
6.如权利要求1所述的一种准单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述酸制绒工序中，所选用的酸溶液为HF和HNO3混合酸溶液，体积分数为60%-80%。
7.如权利要求6所述的一种准单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述HF和HNO3混合酸溶液中，HF和HNO3之间的体积比为1：2-4。
8.如权利要求7所述的一种准单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述酸溶液制绒时的温度为3℃-10℃。
9.如权利要求1或5或8所述的一种准单晶硅片的制绒方法，其特征在于：所述先经过碱制绒工序、后经过酸制绒工序后的准单晶硅片的腐蚀深度为2μm -20μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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