[发明专利]中子嬗变掺杂实现选择性发射极晶体硅太阳能电池的制作方法

摘要

本发明中子嬗变掺杂实现选择性发射极晶体硅太阳能电池的制作方法，属太阳能电池技术领域，利用中子嬗变掺杂，再经退火，实现受光面电极印刷区重掺杂(10~30ohm/sq)，或者利用中子嬗变掺杂，同时实现发射极和电极印刷区的掺杂，再经退火，掩模区的发射极薄层电阻90~120ohm/sq，没有掩模区的电极印刷区薄层电阻10~30ohm/sq，一次性实现选择性发射极。本发明相比于工业化方法制作的晶体硅太阳能电池，蓝光响应增强，串联电阻减小，开路电压和短路电流增加，太阳能电池的光电转换效率增加。

主权项

一种中子嬗变掺杂实现选择性发射极晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于包括以下工艺步骤：⑴ 制绒；⑵ 轻扩散；⑶ 掩膜，中子嬗变掺杂，退火，实现电极印刷区重掺杂；⑷ 去边缘结，去磷硅玻璃；⑸ 镀SiNx膜；⑹ 丝网印刷，烧结。