[发明专利]一种多端口寄存器堆存储单元及其布局布线方法

摘要

本发明属于集成电路存储单元设计技术领域，具体为一种多端口寄存器堆存储单元及其布局布线方法。耦合的反相器采用六管结构，读位线和耦合的反相器之间采用NMOS管隔离，以防止读破坏。内部连线和VSS全部采用金属层1（M1），有效的减小了布线层数。通过写字线使用金属层2（M2），读字线使用金属层4（M4）布线，可以有效减少字线之间的耦合电容，并且减弱了由于字线数目增多造成的单元面积增大。VDD采用M2进行水平方向布线，位线使用金属层3（M3）进行垂直方向布线。

主权项

一种多端口寄存器堆存储单元，其特征在于：由16个NMOS管和2个PMOS管组成，其中4个NMOS管和2个PMOS管构成耦合的反相器，形成真存储节点和伪存储节点；其写端口共有2个，每个写端口均由2个NMOS写存取管构成，这2个NMOS管的源端连接两条写位线，漏端分别连接真存储和伪存储节点,栅端连接同一条写字线；其读端口共有四个，每个端口均由一个NMOS读存取管和一个NMOS读隔离管构成，读存取管的源端连接读位线，漏端和读隔离管的漏端相连，栅端和读字线相连，读隔离管的源端和地线VSS相连，其栅端和真存储节点或伪存储节点相连。