[发明专利]一种多端口寄存器堆存储单元及其布局布线方法

权利要求书

1.一种多端口寄存器堆存储单元，其特征在于：

由16个NMOS管和2个PMOS管组成，其中4个NMOS管和2个PMOS管构成耦合的反相器，形成真存储节点和伪存储节点；

其写端口共有2个，每个写端口均由2个NMOS写存取管构成，这2个NMOS管的源端连接两条写位线，漏端分别连接真存储和伪存储节点,栅端连接同一条写字线；

其读端口共有四个，每个端口均由一个NMOS读存取管和一个NMOS读隔离管构成，读存取管的源端连接读位线，漏端和读隔离管的漏端相连，栅端和读字线相连，读隔离管的源端和地线VSS相连，其栅端和真存储节点或伪存储节点相连。

2.如权利要求1所述的多端口寄存器堆存储单元的布局布线方法，其特征在于包括下列步骤： 

提供对应于所述寄存器堆存储单元的具有N阱，有源区层，多晶硅层，通孔（CT），接触孔1（VIA1）和金属层1（M1）的版图；并在垂直方向上形成地线VSS的版图；

在上述版图上布接触孔1（VIA2）和金属层2（M2），在水平方向上形成写字线和电源线VDD的版图；

在上述版图上布接触孔2（VIA3）和金属层3（M3），在垂直方向上形成位线的版图；

在上述版图上布接触孔3（VIA4）和金属层4（M4），在水平方向上形成读字线的版图。

3.根据权利要求2所述的多端口寄存器堆存储单元的布局布线方法，其特征在于同一行存储单元共享读晶体管的栅端。

4.根据权利要求2所述的多端口寄存器堆存储单元的布局布线方法，其特征在于同一列存储单元共享读晶体管和写晶体管的源端。