[发明专利]成膜装置无效
申请号: | 201110261141.5 | 申请日: | 2011-09-02 |
公开(公告)号: | CN102383110A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 加藤寿;冈部庸之;本间学;熊谷武司;竹内靖 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括:旋转台,包括能分别载置直径为300mm的基板的10个以上的载置区域;第1反应气体供给部,配置在容器内的第1区域,向旋转台供给第1反应气体;第2反应气体供给部,配置在沿旋转台的旋转方向与第1区域分开了的第2区域,向旋转台供给第2反应气体;第1排气口和第2排气口,与第1区域和第2区域相对应;分离区域,配置在第1区域与第2区域之间,包括分离气体供给部和顶面,分离气体供给部喷出用于分离第1反应气体和第2反应气体的分离气体,在顶面与旋转台之间划分供自分离气体供给部供给的分离气体流动的空间,顶面具有能够将该空间的压力维持得比第1区域和第2区域中的压力高的高度。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,该成膜装置在容器内向基板依次供给彼此反应的至少两种反应气体,层叠该两种反应气体的反应生成物的层而形成薄膜,该成膜装置包括:第1旋转台,其能旋转地设于上述容器内,包括能分别载置直径为300mm的基板的10个以上的基板载置区域;第1反应气体供给部,其配置在上述容器内的第1区域内,沿与上述第1旋转台的旋转方向相交的方向延伸,向上述第1旋转台供给第1反应气体;第2反应气体供给部,其配置在沿上述第1旋转台的上述旋转方向与上述第1区域分开的第2区域内,沿与上述旋转方向相交的方向延伸,向上述第1旋转台供给第2反应气体;第1排气口,其设于上述第1区域;第2排气口,其设于上述第2区域;分离区域,其配置在上述第1区域与上述第2区域之间,包括分离气体供给部和顶面,该分离气体供给部喷出用于分离上述第1反应气体与上述第2反应气体的分离气体,在该顶面与上述第1旋转台之间划分出供自该分离气体供给部供给的上述分离气体流动的空间,且该顶面具有能将上述分离气体流动的该空间的压力维持得比上述第1区域中的压力和上述第2区域中的压力高的高度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的