[发明专利]一种超材料的制备方法和超材料有效
| 申请号： | 201110260989.6 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102983070A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;杨宗荣 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;H01L29/41;H01L29/92 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种超材料制备的方法，该方法包括：在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上淀积第一本征多晶硅层；对所述第一本征多晶硅进行掺杂，获得第一导体层；在所述第一导体层上形成预设的微结构阵列；在具有微结构阵列的第一导体层上淀积第二绝缘层；在第二绝缘层上淀积第二本征多晶硅层；对第二本征多晶硅层进行掺杂，获得第二导体层；在第二导体层上形成所述预设的微结构阵列。本发明实施例还提供了一种采用上述实施例制备的超材料。能够得到微结构可控性能更高、具有双晶硅电容特性的超材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超材料制备的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上淀积第一本征多晶硅层；对所述第一本征多晶硅进行掺杂，获得第一导体层；在所述第一导体层上形成预设的微结构阵列；在具有微结构阵列的第一导体层上淀积第二绝缘层；在第二绝缘层上淀积第二本征多晶硅层；对第二本征多晶硅层进行掺杂，获得第二导体层；在第二导体层上形成所述预设的微结构阵列。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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