[发明专利]一种提高发光二极管发光效率的方法有效
| 申请号： | 201110258718.7 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102306691A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 韩杰;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高发光二极管发光效率的方法，发光二极管外延片结构中发光层中垒层的生长方式采用了一种新颖的方法：通过生长不同厚度的垒层，提高电子空穴的复合效率从而提高发光效率。本发明方法的设计既保证了较高的复合效率又保持了较低的正向电压，通过加厚靠近N型层一侧的垒层厚度可以更好的限制电子的迁移运动，防止电子越过MQW区域在P型层与空穴复合，而降低靠近P型层一侧的垒层厚度，使空穴更容易越过垒层与电子在量子阱中复合从而提升出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光二极管 发光 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高发光二极管发光效率的方法，该二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底(1)，低温缓冲层(2)，高温缓冲层(3)，N型层(4)，N型层(5)，N型层(6)，N型层(7)，发光层(8)，P型层(9)，P型层(10)，P型层(11)；其特征在于：发光层中采用具有不同厚度的垒层来提高发光效率：靠近N型层一侧的垒层厚度为15nm到25nm，而靠近P型层一侧的垒层的厚度在5到15nm；垒层的生长厚度介于5nm至20nm之间，生长温度介于800℃至1050℃之间，V/III摩尔比介于1000至20000之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110258718.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种模具
- 下一篇：一种木犀草素-7-龙胆二糖苷的制备方法及应用
