[发明专利]完全利用供料气和全再循环CVD-西门子甲硅烷反应器法无效
| 申请号： | 201110257971.0 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102530953A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 维塞尔·雷万卡;桑吉夫·拉郝蒂 | 申请（专利权）人： | 维塞尔·雷万卡;桑吉夫·拉郝蒂 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及完全利用供料气和全再循环CVD-西门子甲硅烷反应器法，用于基于甲硅烷(SiH4)的化学气相沉积(CVD)多晶硅的CVD的甲硅烷和氢再循环方法/系统。具体地，本发明涉及经由气态硅烷前体的分解生产多晶硅块材料的基本上完全硅烷利用和无未(从反应器)转化的污染的硅烷和氢完全再循环方法。 | ||
| 搜索关键词： | 完全 利用 供料 再循环 cvd 西门子 硅烷 反应器 | ||
【主权项】：
一种改进的CVD‑西门子反应器系统，所述改进包括甲硅烷和氢回收及再循环系统，其中：i)来自CVD西门子反应器的包括未反应的甲硅烷、氢以及杂质的热的反应器气体由过滤、吸收以及分馏被冷却和纯化以产生纯化的甲硅烷、分离的氢料流以及分离的杂质；ii)所述分离的氢料流被进一步冷却和纯化，以产生冷却的、纯化的氢料流；iii)其中在所述冷却的、纯化的氢料流和所述热的反应器气体之间的逆流热交换器冷却来自所述CVD西门子反应器的所述热的反应器气体；iv)所述纯化的甲硅烷以第一压缩机压缩，并且被供料回到所述CVD‑西门子反应器中；v)其中所述纯化的氢料流以第二压缩机压缩，并且在被用于所述逆流热交换器之后被供料回到所述CVD反应器中。
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