[发明专利]多晶硅化学机械研磨工艺的研磨垫预研磨方法有效
| 申请号： | 201110257441.6 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102339742A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李儒兴;陈海蓉;朱华;李志国 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了多晶硅CMP工艺中的研磨垫预研磨方法，不仅能够达到研磨所需化学平衡状态，而且成本低，时间短。本发明提出的方案在于采用裸硅晶圆(Bare??Wafer)对新研磨垫进行预研磨。裸硅晶圆是单晶硅，在预研磨过程中能够与研磨液发生Si-＞Si4+的化学反应，而且无需制作Poly膜，节约了现有方案制作Poly膜所需的时间及成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 化学 机械 研磨 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅化学机械研磨(CMP)工艺的研磨垫预研磨方法，其特征在于，包括步骤：提供裸硅晶圆片；更换研磨垫；采用裸硅晶圆片、研磨液及更换后的研磨垫进行预研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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