[发明专利]一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺无效
| 申请号： | 201110256076.7 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102332414A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 孙伟;刘学武;尚承伟;王立;李庆 | 申请（专利权）人： | 安徽四创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/50;H01L25/16 |
| 代理公司： | 合肥金安专利事务所 34114 | 代理人： | 范克明 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，包括混合集成电路技术、薄膜加工工艺、引线键合技术、平行封焊工艺、平衡电路设计、功率限幅设计等。本发明的实施使薄膜限幅低噪声放大器的体积更小，集成度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 限幅 低噪声放大器 小型化 方法 工艺 | ||
【主权项】：
一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，其特征是：所述薄膜限幅低噪声放大器的设计采用了混合集成电路技术，即在氧化铝陶瓷介质基片上采用薄膜工艺制作出无源元件和微带线路，再利用微组装技术将微波固体器件如FET管芯装配到电路中，最后用金属外壳将整个电路封装好。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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