[发明专利]一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺

权利要求书

1.一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，其特征是：所述薄膜限幅低噪声放大器的设计采用了混合集成电路技术，即在氧化铝陶瓷介质基片上采用薄膜工艺制作出无源元件和微带线路，再利用微组装技术将微波固体器件如FET管芯装配到电路中，最后用金属外壳将整个电路封装好。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，其特征是：所述薄膜限幅低噪声放大器选择散热较好的氧化铝陶瓷基板以满足器件的散热条件。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，其特征是： 所述薄膜限幅低噪声放大器采用薄膜加工工艺，将微带线、无源元器件成膜至氧化铝陶瓷基板上，同时用钎焊技术将氧化铝陶瓷基板焊接到壳体内，以提高产品的接地性能，减小产品的体积。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，其特征是：所述薄膜限幅低噪声放大器芯片与微带线的互联采用引线键合技术，装配中为了更好地匹配电性指标；引线键合的直径选用18μm、25μm、75μm, 这大大降低了高频下的寄生效应。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，其特征是：所述薄膜限幅低噪声放大器封装工艺采用平行封焊工艺。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，其特征是：所述薄膜限幅低噪声放大器采用平衡电路设计，前端设计为3db Langer电桥，采用18μm金丝键合，键合时将金丝两端稍微倾斜，适当增加金丝的长度以减少键合难度。

7.根据权利要求1所述的一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，其特征是：所述薄膜限幅低噪声放大器放大芯片采用TC1102，在TC1102放大管芯片采用金丝键合时，压点尽量靠近芯片各级的边缘处；这样键合后金丝压点变形，也不会延伸至芯片中间部位而引起短路。

8.根据权利要求1所述的一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，其特征是：所述薄膜限幅低噪声放大器功率限幅器的第一级限幅管选用MA4L032-134芯片，第二级限幅管选用两只MA4L021-134芯片，两只芯片正反向并联在一起，用以等分射频电流，功率承受能力也将提高。

9.根据权利要求1所述的一种薄膜限幅低噪声放大器小型化方法和工艺，其特征是：所述薄膜限幅低噪声放大器的匹配网络采用拓扑结构工艺。