[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110254187.4 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102956498A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的鳍片，所述鳍片通过半导体层接于所述衬底；以及跨于所述鳍片上的栅堆叠，其中，所述鳍片和所述半导体层具有不同的材料，且两者相对于彼此具有刻蚀选择性。根据本发明的实施例，由于鳍片材料与鳍片之下的半导体层材料之间的刻蚀选择性，对于鳍片的构图可以准确地停止于该半导体层，从而可以很好地控制鳍片高度，并因此控制最终形成的器件的沟道宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上形成的鳍片，所述鳍片通过半导体层接于所述衬底；以及跨于所述鳍片上的栅堆叠，其中，所述鳍片和所述半导体层具有不同的材料，且两者相对于彼此具有刻蚀选择性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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