[发明专利]一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法

摘要

本发明公开一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，在通孔刻蚀停止层上旋涂光阻之前，通过先将作为通孔刻蚀停止层的氮化硅薄膜表面游离的氮元素降低，再在其上旋涂光阻，避免使光阻直接接触含氮元素的薄膜而导致光阻失效，从而不会导致光阻曝光效率下降。

主权项

一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法，提供具有至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管半导体基体；淀积第一氮化硅薄膜在所述半导体基体上并覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管，其特征在于，接着执行如下步骤：用含氧等离子体处理所述第一氮化硅薄膜使所述第一氮化硅薄膜表面游离的氮元素下降；淀积第一光阻覆盖所述第一氮化硅薄膜，再进行曝光去除位于第一晶体管竖直上方的第一光阻部分，使所述第一氮化硅薄膜位于第一晶体管竖直上方的部分露出；刻蚀去除所述第一氮化硅薄膜位于第一晶体管竖直上方的部分，使所述第一晶体管露出；去除剩余在第二晶体管竖直上方的第一光阻，使所述第一氮化硅薄膜剩余在所述第二晶体管上方的部分露出；淀积第二氮化硅薄膜覆盖所述露出的第一晶体管和所述第一氮化硅薄膜剩余的部分；用含氧等离子体处理所述第二氮化硅薄膜使所述第二氮化硅薄膜表面游离的氮元素下降；淀积第二光阻覆盖所述第二氮化硅薄膜，再进行曝光去除位于第二晶体管竖直上方的第二光阻部分，使所述第二氮化硅薄膜剩余在所述第二晶体管竖直上方的部分露出；刻蚀去除所述第二氮化硅薄膜位于第二晶体管竖直上方的部分，使所述第一氮化硅薄膜剩余在所述第二晶体管上方的剩余部分露出；去除所述第二光阻剩余在所述第一晶体管竖直上方的部分，使所述第二氮化硅薄膜剩余在所述第一晶体管竖直上方的部分露出。